کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795946 | 1524485 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Aluminum incorporation in AlxGa1-xN-layers and implications for growth optimization
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The solid Al-composition xAl depends critically on growth parameters for constant gas phase compositions. The strongest effect is found for total pressure: Al is efficiently incorporated only at pressures lower than 50Â mbar. This can be understood mainly as a result of prereactions in the gas phase involving TMAl and NH3 which has been discussed earlier in a theoretical paper of the Jensen group [T.G. Mihopoulos, V. Gupta, K.F. Jensen, J. Crystal Growth 195 (1998) 733]. In this publication we compare the predictions of this work with our data and implications for growth optimization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 361-366
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 298, January 2007, Pages 361-366
نویسندگان
U. Rossow, D. Fuhrmann, T. Litte, T. Retzlaff, L. Hoffmann, H. Bremers, A. Hangleiter,