کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795988 | 1023733 | 2007 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystallization of low dislocation density GaN by high-pressure solution and HVPE methods
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The results of application of the new grown material for epitaxial growth of quantum structures in both polar and non-polar directions, is shortly reported.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 17-25
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 17-25
نویسندگان
I. Grzegory, B. Åucznik, M. BoÄkowski, S. Porowski,