![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Growth of P-type 4H-SiC single crystals by physical vapor transport using aluminum and nitrogen co-doping
Keywords: A2 رشد کریستال تک; A1. Doping; A2. Growth from vapor; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon compounds;