کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1794960 | 1023710 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of single-phase metastable tantalum nitride nanocrystals by dc arc discharge
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Metastable cubic tantalum nitride (TaN) nanocrystals have been firstly direct synthesized by dc arc discharge and characterized by X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Fourier transform infrared (FTIR) techniques. The average grain size of cubic TaN nanocrystals is about 5–10 nm. The influence of N2 pressure on the as-synthesized metastable cubic TaN is studied and it is found that lower N2 pressure is favorable for the formation of metastable cubic TaN. The growth mechanism of metastable cubic TaN was discussed. This method may be suitable for a direct preparation for mass production of TaN nanocrystals.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 306, Issue 2, 15 August 2007, Pages 413–417
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 306, Issue 2, 15 August 2007, Pages 413–417
نویسندگان
Weiwei Lei, Dan Liu, Longhai Shen, Jian Zhang, Pinwen Zhu, Qiliang Cui, Guangtian Zou,