کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796015 | 1023733 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reactive sputter deposition of AlInN thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
 AlInN films were grown on (0 0 0 1) sapphire and glass substrates by reactive radio-frequency (RF) magnetron sputtering using aluminium and indium targets in an ambience of argon and nitrogen. It was revealed that the Al composition in the AlInN films can be controlled by varying the ratio of the applied RF power of the indium target to that of the aluminium target. The lattice constant for c-axis obtained from the (0 0 0 2) diffraction peak of the AlInN films decreased with the increase of Al composition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 151-154
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 300, Issue 1, 1 March 2007, Pages 151-154
نویسندگان
Q.X. Guo, Y. Okazaki, Y. Kume, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa,