کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796309 | 1023741 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation and characterization of flash evaporated tin selenide thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Preparation and characterization of flash evaporated tin selenide thin films Preparation and characterization of flash evaporated tin selenide thin films](/preview/png/1796309.png)
چکیده انگلیسی
Tin selenide thin films were grown by flash evaporation method at substrate temperatures, TS=303–513 K at an interval of 30 K. Single phase, nearly stoichiometric and polycrystalline films with strong (4 0 0) orientation exhibiting orthorhombic structure was observed at the substrate temperature of 513 K. The optical absorption studies indicated a direct band gap of 1.26 eV with high absorption coefficient (>104 cm−1) near the fundamental absorption edge. The films were found to have an electrical resistivity 8.1 Ω cm with p-type conduction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 306, Issue 1, 1 August 2007, Pages 68–74
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 306, Issue 1, 1 August 2007, Pages 68–74
نویسندگان
G. Hema Chandra, J. Naveen Kumar, N. Madhusudhana Rao, S. Uthanna,