کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796601 | 1023750 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth Formation of polymers in TMGa/NH3/H2 system under GaN growth](/preview/png/1796601.png)
چکیده انگلیسی
We report analysis of gas-phase chemistry and the generation pathways of polymers in a horizontal reactor under metalorganic vapor-phase epitaxy of GaN films by using computational fluid dynamics simulations. The simulation model considered radiative heat transfer and the reaction model of TMGa/NH3/H2 system, including the formation of polymers such as [Ga–N]n and [MMGaNH]n (n=2–6). It was found that Ga–N polymers are generated at a temperature region about 700 K, and that the temperature is the boundary between [Ga–N]2 dissociation ([Ga–N]2→Ga–N) and Ga–N polymerization (such as [Ga–N]2→[Ga–N]3–6).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 289, Issue 2, 1 April 2006, Pages 428–432
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 289, Issue 2, 1 April 2006, Pages 428–432
نویسندگان
Akira Hirako, Kazuhiro Ohkawa,