کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796668 | 1023751 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Selective growth of high quality InAs quantum dots in narrow regions using in situ mask
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have succeeded in selective formation of a self-assembled InAs quantum dot (QD) structure in a narrow region. The emission wavelength of the QDs was varied locally by a covered GaInAs layer grown with an in situ mask. This mask can be fitted to the sample holder and removed in an ultra-high-vacuum environment. The selectively grown QDs exhibited high optical quality with a photoluminescence peak at 1.29 μm and linewidth of 24 meV at room temperature. This technique provides greater latitude and design flexibility in fabricating optoelectronic and electronic devices with QD structures.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 293, Issue 1, 15 July 2006, Pages 57-61
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 293, Issue 1, 15 July 2006, Pages 57-61
نویسندگان
Shunsuke Ohkouchi, Yusui Nakamura, Hitoshi Nakamura, Naoki Ikeda, Yoshimasa Sugimoto, Kiyoshi Asakawa,