کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1796976 | 1524486 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Zinc oxide quantum dots embedded films by metal organic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Zinc oxide (ZnO) quantum dots (QDs) were fabricated on silicon substrates by metal organic chemical vapor deposition. Formation of QDs is due to the vigorous reaction of the precursors when a large amount of precursors was introduced during the growth. The size of the QDs ranged from 3 to 12 nm, which was estimated by high-resolution transmission electron microscopy. The photoluminescence measured at 80 K showed that the emission of QDs embedded film ranged from 3.0 to 3.6 eV. The broad near-band-edge emission was due to the quantum confinement effect of the QDs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 2, 1 May 2006, Pages 518–522
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 2, 1 May 2006, Pages 518–522
نویسندگان
S.T. Tan, X.W. Sun, X.H. Zhang, B.J. Chen, S.J. Chua, Anna Yong, Z.L. Dong, X. Hu,