کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1797213 | 1023773 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical properties of self-assembled InAs/InAlAs/InP quantum wires with different InAs deposited thickness
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the photoluminescence (PL) properties of InAs/InAlAs/InP quantum wires (QWRs) with various InAs deposited thickness. The PL linewidth of the QWRs decreases with increasing InAs deposited thickness due to the different thicknesses of the QWRs and defects in the samples. The defects and lateral composition modulation of the InAlAs layers play an important role in the temperature-dependent PL properties of the samples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 286, Issue 1, 1 January 2006, Pages 23–27
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 286, Issue 1, 1 January 2006, Pages 23–27
نویسندگان
W. Lei, Y.H. Chen, Y.L. Wang, X.Q. Huang, Ch. Zhao, J.Q. Liu, B. Xu, P. Jin, Y.P. Zeng, Z.G. Wang,