کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1797218 | 1023773 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis of dense polycrystalline GaN of high purity by the chemical vapor reaction process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A process for producing high-purity, dense polycrystalline gallium nitride is proposed. Dense polycrystalline gallium nitride was produced by the reaction of ammonia, gallium metal, and a halide source in a quartz boat containing metallic gallium. The process is called the chemical vapor reaction process. The hard crust-like pieces of polycrystalline GaN obtained are of high purity, can be used as source material for single-crystal growth by the ammonothermal technique, sublimation, sputtering, and pulse laser deposition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 286, Issue 1, 1 January 2006, Pages 50–54
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 286, Issue 1, 1 January 2006, Pages 50–54
نویسندگان
Buguo Wang, Michael Callahan, John Bailey,