| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 1797351 | 1023780 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Direct evidence of compositional pulling effect in AlxGa1−xN epilayers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report the investigation on the compositional-pulling effect of crystalline AlxGa1−xN/(0 0 0 1) sapphire epilayers by cross-sectional cathodoluminescence (CL) and energy-dispersive X-ray (EDX) analyses. Direct evidence for the compositional distribution was found in the AlxGa1−xN (0
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 1, 15 April 2006, Pages 225–228
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 1, 15 April 2006, Pages 225–228
نویسندگان
H.Y. Lin, Y.F. Chen, T.Y. Lin, C.F. Shih, K.S. Liu, N.C. Chen,