کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1797352 | 1023780 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Valence electron structure analysis of epitaxial growth of diamond (1Â 0Â 0) film on Si and c-BN substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Based on the Pauling's nature of chemical bond, the valence electron structures of diamond, Si and c-BN crystals have been constructed and the relative electron density difference (REDD) between the diamond (1Â 0Â 0) plane and 22 planes in Si and c-BN substrate, respectively, have been calculated. The experimental results, that the diamond (1Â 0Â 0) film can exclusively grow directly on the (1Â 0Â 0) oriented c-BN substrate, have been explained satisfactorily from minimization of the electron density difference across the interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 1, 15 April 2006, Pages 229-234
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 290, Issue 1, 15 April 2006, Pages 229-234
نویسندگان
Xiao-Jun Zhang, Jian-Min Zhang, Ke-Wei Xu,