کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1810216 | 1525236 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pressure-dependent shallow donor binding energy in InGaN/GaN square QWWs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Using a variational approach, we perform a theoretical study of hydrostatic pressure effect on the ground-state of axial hydrogenic shallow-donor impurity binding energy in InGaN/GaN square quantum well wire (SQWWs) as a function of the side length within the effective-mass scheme and finite potential barrier. The pressure dependence of wire length, effective mass, dielectric constant and potential barrier are taken into account. Numerical results show that: (i) the binding energy is strongly affected by the wire length and the external applied pressure and (ii) its maximum moves to the narrow wire in particular for height pressure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 410, 1 February 2013, Pages 49-52
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 410, 1 February 2013, Pages 49-52
نویسندگان
Haddou El Ghazi, Anouar Jorio, Izeddine Zorkani,