کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1811346 | 1025592 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoelectronic characterization of n-type silicon wafers using photocarrier radiometry
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Photocarrier radiometry (PCR) was used to characterize four n-type silicon wafers with different resistivity values in the 1–20 Ω cm range. Simulations of the PCR signal have been performed to study the influence of the recombination lifetime and front surface recombination velocity on them; besides, the transport parameters (carrier recombination lifetime, diffusion coefficient, and frontal surface recombination) of the wafers were obtained by means of a fitting procedure. The PCR images that are related to the lifetime are presented, and the first photoelectronic images of a porous silicon sample are obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 19, 1 October 2011, Pages 3687–3693
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 19, 1 October 2011, Pages 3687–3693
نویسندگان
A. Gutiérrez, M.E. Rodríguez-García, J. Giraldo,