کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1812364 | 1025614 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of sapphire annealing on the structural properties of AIN thin films grown by molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effects of sapphire annealing on high-quality AlN growth by molecular beam epitaxy have been studied. AlN thin films grown on annealed sapphire (1200 °C, 12 h) were hole-free. The full width at half maximum of the (0 0 0 2) and (101¯5)ω-rocking curves for 260 nm-thick AlN thin films grown on annealed sapphires were 200 and 900 arcsec, respectively. The substantial improvement of AlN quality is ascribed to reduction of dislocation density by sapphire annealing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 405, Issue 6, 15 March 2010, Pages 1643–1646
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 405, Issue 6, 15 March 2010, Pages 1643–1646
نویسندگان
Yun Liu, Jia Zhang,