کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813327 | 1525241 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Defect structure of zinc doped silicon studied by X-ray diffuse scattering method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The results of investigation of microdefects (MDs) in Zn doped n-type Si by X-ray diffuse scattering (XRDS) method are presented. Experimental samples were made by a high-temperature diffusion annealing of Zn with subsequent quenching and tempering. The crystal lattice of the samples is found to contain spherical MDs of vacancy type and plane shape MDs of interstitial type with average radius about 0,1 and 2 μm. The MDs average radius and their type depend on Zn doping level and thermal treatment after compensation diffusion.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 23â24, 15 December 2009, Pages 4630-4633
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 23â24, 15 December 2009, Pages 4630-4633
نویسندگان
Kirill D. Shcherbachev, Vladimir V. Privezentsev,