کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1813411 | 1025635 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of InSb layers on GaAs substrates using infrared reflectance and a modified oscillator formula
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
InSb epilayers on GaAs substrates are analyzed using infrared reflectance spectroscopy, but employing a modified Drude oscillator formula. The modified formula enables the determination of 13 parameters: six dielectric parameters for both layer and substrate separately, as well as the thickness of the layer. The formula is tested against previously published data, and to characterize layers grown in this laboratory.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 22, 1 December 2009, Pages 4397–4401
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issue 22, 1 December 2009, Pages 4397–4401
نویسندگان
J.A.A. Engelbrecht, M.C. Wagener,