کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1814961 | 1525254 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical composition of nitrogen-oxygen shallow donor complexes in silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Chemical composition of nitrogen-oxygen shallow donor complexes in silicon Chemical composition of nitrogen-oxygen shallow donor complexes in silicon](/preview/png/1814961.png)
چکیده انگلیسی
FTIR absorption measurements have been carried out on shallow donor transitions in silicon related to (N, O)-complexes. Growth of a nitrogen-doped float-zone ingot with an axial variation of the interstitial oxygen concentration from <1016 up to 6Ã1017Â cmâ3 allowed systematic investigation of the defect formation driven by mass-action laws. The energetically deepest shallow donor of the (N, O)-family has the composition NO. Other species contain up to three oxygen atoms. Implications of the results on the microscopic structure of (N, O)-related shallow donors are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401â402, 15 December 2007, Pages 130-133
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401â402, 15 December 2007, Pages 130-133
نویسندگان
H.Ch. Alt, H.E. Wagner, W.v. Ammon, F. Bittersberger, A. Huber, L. Koester,