کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1814967 | 1525254 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of annealing on the electrical properties of highly resistive float zone p-type silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper reports effects of heat treatment in nitrogen or forming gas ambient on the electrical properties of highly resistive float zone p-type silicon (Si). Capacitance–voltage and Hall Effect measurements were used to examine role of impurities associated with annealing. A reduction in the free carrier density was observed for both the nitrogen and forming gas anneals. In addition, temperature-dependent capacitance measurements revealed the appearance of deep traps with a concentration of 2×1011 cm−3, following the nitrogen anneal.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 155–158
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401–402, 15 December 2007, Pages 155–158
نویسندگان
V. Vankova, A.I. Kingon,