کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1815019 | 1525254 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phosphorus-doped ZnO films grown nitrogen ambience by magnetron sputtering on sapphire substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We grew phosphorus-doped ZnO films at various temperatures on a sapphire substrate by magnetron sputtering to obtain a p-type ZnO film. The ZnO film grown under the ambient gas mixture of nitrogen and argon showed p-type behavior at a higher growth temperature. The electron concentration and mobility of the as-deposited p-type ZnO were 1.2Ã1017Â cmâ3 and 25Â cm2/VÂ s, respectively. The peak shift of X-ray diffraction and the strong acceptor-bound exciton peak of photoluminescence indicated that the incorporation of phosphorus was enhanced with increasing growth temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401â402, 15 December 2007, Pages 370-373
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 401â402, 15 December 2007, Pages 370-373
نویسندگان
Cheol Hyoun Ahn, Young Yi Kim, Si Woo Kang, Hyung Koun Cho,