کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1815120 | 1525255 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magnetoconductivity of Hubbard bands induced in silicon MOSFETs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Sodium impurities are diffused electrically to the oxide-semiconductor interface of a silicon MOSFET to create an impurity band. At low temperature and at low electron density, the band is split into an upper and a lower sections under the influence of Coulomb interactions. We used magnetoconductivity measurements to provide evidence for the existence of Hubbard bands and determine the nature of the states in each band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 400, Issues 1â2, 15 November 2007, Pages 218-223
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 400, Issues 1â2, 15 November 2007, Pages 218-223
نویسندگان
T. Ferrus, R. George, C.H.W. Barnes, N. Lumpkin, D.J. Paul, M. Pepper,