کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1815120 1525255 2007 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Magnetoconductivity of Hubbard bands induced in silicon MOSFETs
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Magnetoconductivity of Hubbard bands induced in silicon MOSFETs
چکیده انگلیسی
Sodium impurities are diffused electrically to the oxide-semiconductor interface of a silicon MOSFET to create an impurity band. At low temperature and at low electron density, the band is split into an upper and a lower sections under the influence of Coulomb interactions. We used magnetoconductivity measurements to provide evidence for the existence of Hubbard bands and determine the nature of the states in each band.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 400, Issues 1–2, 15 November 2007, Pages 218-223
نویسندگان
, , , , , ,