کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1815450 | 1525244 | 2009 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The search for an EFG equation of state in ThM3 compounds (with M=Sn, In, Si, Ge, Ga, Rh, Pb, Tl)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
I have investigated the behavior of the electric field gradient (EFG) at M site in ThM3 compounds (with M=Sn, In, Si, Ge, Ga, Rh, Pb, Tl) under pressure. I have found that the magnitude of EFG increases with pressure in all compounds. Furthermore I have shown that in ThM3 (with M=In, Ga, Pb, Tl), this increase follows a common trend. Thereby I have reached an equation of state for the EFG in this group.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 8–11, 1 May 2009, Pages 1271–1278
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 404, Issues 8–11, 1 May 2009, Pages 1271–1278
نویسندگان
Z. Nourbakhsh,