کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1816180 | 1525267 | 2006 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure of the hexaindium heptasulfide In6S7
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the electronic properties of the hexaindium heptasulfide In6S7, employing ab initio calculations based on density functional theory using in the first time the full-potential linearized augmented plane wave method with the generalized gradient approximation for the exchange and correlation potential. On the other hand, we present the same results obtained by the linear muffin-tin orbital method. Band structure, total and partial density of states, effective masses and ionicity factor are analyzed. The bonding nature of this material is analyzed from the density of states. We found that the In6S7 is a semiconductor with a small gap of about 0.7Â eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 382, Issues 1â2, 15 June 2006, Pages 181-188
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 382, Issues 1â2, 15 June 2006, Pages 181-188
نویسندگان
H. Ben Abdallah, R. Bennaceur,