کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1816723 | 1525270 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Pulsed EPR studies of Phosphorus shallow donors in diamond and SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Pulsed EPR studies of Phosphorus shallow donors in diamond and SiC Pulsed EPR studies of Phosphorus shallow donors in diamond and SiC](/preview/png/1816723.png)
چکیده انگلیسی
Phosphorus shallow donors having the symmetry lower than Td are studied by pulsed EPR. In diamond:P and 3C-SiC:P, the symmetry is lowered to D2d and the density of the donor wave function on the phosphorus atom exhibits a predominant p-character. In 4H-SiC:P with the site symmetry of C3v, the A1 ground state of the phosphorus donors substituting at the quasi-cubic site of silicon shows an axial character of the distribution of the donor wave function in the vicinity of the phosphorus atom.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376â377, 1 April 2006, Pages 358-361
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376â377, 1 April 2006, Pages 358-361
نویسندگان
J. Isoya, M. Katagiri, T. Umeda, S. Koizumi, H. Kanda, N.T. Son, A. Henry, A. Gali, E. Janzén,