کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1884805 | 1043368 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Innovative dielectrics for semiconductor technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
تشعشع
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Innovative dielectrics for semiconductor technology Innovative dielectrics for semiconductor technology](/preview/png/1884805.png)
چکیده انگلیسی
The synthesis and the characterization of dielectrics with very high and very low relative permittivity κ, are one of the challenges for scaling the dimensions of microelectronic devices. It will be shown that unique and useful insight on high κ thin films and about the surface termination of internal buried empty space (κ=1κ=1) can be obtained by combining different positron annihilation spectroscopies. Characterization of nano-cavities in Si and of HfO2 high κ thin films will be presented and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 76, Issue 2, February 2007, Pages 189–194
Journal: Radiation Physics and Chemistry - Volume 76, Issue 2, February 2007, Pages 189–194
نویسندگان
R.S. Brusa, C. Macchi, S. Mariazzi, G.P. Karwasz, G. Scarel, M. Fanciulli,