کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
189763 | 459684 | 2011 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrochemical layer by layer growth and characterization of copper sulfur thin films on Ag(1 1 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Copper sulfide (CuS) thin films were grown on a single crystal Ag(1 1 1) substrate by Electrochemical Atomic Layer Deposition (ECALD) method, i.e., by alternated surface limited deposition of copper and sulfur. A detailed investigation of deposition of Cu on S allowed to find the best conditions for copper deposition. The electrochemical characterization of deposits obtained with different deposition cycles suggests a 1:1 stoichiometric ratio between Cu and S corresponding to Cu monosulfide. The compositional analysis was performed by X-rays Photoelectron Spectroscopy (XPS), and the morphological was investigated by Atomic Force Microscopy (AFM) for deposits formed with 20 ECALD cycles.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 58, 30 December 2011, Pages 599–605
Journal: Electrochimica Acta - Volume 58, 30 December 2011, Pages 599–605
نویسندگان
M. Innocenti, I. Bencistà, S. Bellandi, C. Bianchini, F. Di Benedetto, A. Lavacchi, F. Vizza, M.L. Foresti,