کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
191682 | 459726 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Redox behavior of hemin at p-GaAs(1 0 0) electrode
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electrochemical behavior of hemin on p-GaAs(1 0 0) electrodes was examined by cyclic voltammetry (CV) and impedance spectroscopy (EIS) in phosphate buffer solutions (PBS) at pH 7.45. CV investigations in 0.6 mM hemin in PBS revealed a pair of reversible peaks at −0.44 and −0.32 V vs. SCE resulting in stable adsorbed species. EIS spectra analysis pointed out that these adsorbed species bring significant changes in the semiconductor surface state population and the potential drop distribution between the semiconductor space charge region and the Helmholtz layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 56, Issue 2, 30 December 2010, Pages 863–866
Journal: Electrochimica Acta - Volume 56, Issue 2, 30 December 2010, Pages 863–866
نویسندگان
A.M. Toader, E. Volanschi, M.F. Lazarescu, V. Lazarescu,