کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
221031 | 463367 | 2007 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoelectrochemistry of 4H–SiC in KOH solutions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Photoelectrochemistry of 4H–SiC in KOH solutions Photoelectrochemistry of 4H–SiC in KOH solutions](/preview/png/221031.png)
چکیده انگلیسی
The photoelectrochemical oxidation of n-type 4H–SiC in KOH solution shows surprising features. While a limiting anodic photocurrent is observed at low light intensity, the semiconductor passivates at high intensity. The photocurrent corresponding to the passivation peak increases linearly with photon flux but decreases when mass transport in the system is enhanced. Characteristic current oscillations are observed. Possible reasons for these results are considered, as is the use of photoanodic etching for practical applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electroanalytical Chemistry - Volume 599, Issue 2, 15 January 2007, Pages 260–266
Journal: Journal of Electroanalytical Chemistry - Volume 599, Issue 2, 15 January 2007, Pages 260–266
نویسندگان
D.H. van Dorp, J.J. Kelly,