کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970806 | 1450303 | 2017 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A physically based model for resistive memories including a detailed temperature and variability description
ترجمه فارسی عنوان
یک مدل مبتنی بر فیزیکی برای خاطرات مقاومتی شامل یک توضیح دقیق درجه حرارت و تغییرپذیری
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
A new model to account for variability in resistive memories is presented. It is included in a previous general current model that considers the main physical mechanisms involved in the conductive filament formation and disruption processes that lead to different resistive states. The validity of the model has been proved for different technologies of metal-insulator-metal bipolar resistive memories. The model can be implemented in Verilog-A for circuit simulation purposes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 26-29
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 26-29
نویسندگان
G. González-Cordero, M.B. González, H. GarcÃa, F. Campabadal, S. Dueñas, H. Castán, F. Jiménez-Molinos, J.B. Roldán,