کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970807 1450303 2017 16 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of the admittance hysteresis cycles in TiN/Ti/HfO2/W-based RRAM devices
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Study of the admittance hysteresis cycles in TiN/Ti/HfO2/W-based RRAM devices
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 30-33
نویسندگان
, , , , , ,