کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970812 1450303 2017 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
1/f and RTS noise in InGaAs nanowire MOSFETs
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
1/f and RTS noise in InGaAs nanowire MOSFETs
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 52-55
نویسندگان
, , , ,