کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970821 | 1450303 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of uniform switching RRAM devices and impact of critical defects
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 93-97
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 93-97
نویسندگان
S. Subhechha, R. Degraeve, P. Roussel, L. Goux, S. Clima, K. De Meyer, J. Van Houdt, G.S. Kar,