کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970827 1450303 2017 12 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evidences of areal switching in Vacancy-Modulated Conductive Oxide (VMCO) memory
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Evidences of areal switching in Vacancy-Modulated Conductive Oxide (VMCO) memory
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 122-124
نویسندگان
, , , , , , , ,