کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970828 | 1450303 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Single-crystal hexagonal perovskite YAlO3 epitaxially on GaAs(111)A and (001) using atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Single-crystal hexagonal perovskite YAlO3 epitaxially on GaAs(111)A and (001) using atomic layer deposition Single-crystal hexagonal perovskite YAlO3 epitaxially on GaAs(111)A and (001) using atomic layer deposition](/preview/png/4970828.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 125-127
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 125-127
نویسندگان
C.K. Cheng, L.B. Young, K.Y. Lin, Y.H. Lin, H.W. Wan, G.J. Lu, M.T. Chang, R.F. Cai, S.C. Lo, M.Y. Li, C.H. Hsu, J. Kwo, M. Hong,