کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970830 1450303 2017 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Reduction of slow trap density of Al2O3/GeOx/n-Ge MOS interfaces by inserting ultrathin Y2O3 interfacial layers
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Reduction of slow trap density of Al2O3/GeOx/n-Ge MOS interfaces by inserting ultrathin Y2O3 interfacial layers
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 132-136
نویسندگان
, , ,