کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970832 | 1450303 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxidation-induced electron barrier enhancement at interfaces of Ge-based semiconductors (Ge, Ge1 â xSnx, SiyGe1 â x â ySnx) with Al2O3
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 141-144
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 141-144
نویسندگان
V.V. Afanas'ev, C. Schulte-Braucks, S. Wirths, J. Schubert, D. Buca,