کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970834 | 1450303 | 2017 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Resistive switching in MIM structure based on overstoichiometric tantalum oxide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 150-153
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 150-153
نویسندگان
D.S. Kuzmichev, Yu.Yu. Lebedinskii,