کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970848 | 1450303 | 2017 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Extraction of the sub-band gap density of states of Nb doped ZnO thin film transistors using C-V measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 213-216
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 213-216
نویسندگان
A. Shaw, J.D. Jin, I.Z. Mitrovic, S. Hall, J.S. Wrench, P.R. Chalker,