کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970855 | 1450303 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ultra-low power 1T-DRAM in FDSOI technology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ultra-low power 1T-DRAM in FDSOI technology Ultra-low power 1T-DRAM in FDSOI technology](/preview/png/4970855.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 245-249
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 245-249
نویسندگان
H. El Dirani, K.H. Lee, M.S. Parihar, J. Lacord, S. Martinie, J-Ch. Barbe, X. Mescot, P. Fonteneau, J.-E. Broquin, G. Ghibaudo, Ph. Galy, F. Gamiz, Y. Taur, Y.-T. Kim, S. Cristoloveanu, M. Bawedin,