کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970881 1450302 2017 35 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Towards fabrication of 3D isotopically modulated vertical silicon nanowires in selective areas by nanosphere lithography
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Towards fabrication of 3D isotopically modulated vertical silicon nanowires in selective areas by nanosphere lithography
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 179, 5 July 2017, Pages 74-82
نویسندگان
, , , , , , , , ,