کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970881 | 1450302 | 2017 | 35 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Towards fabrication of 3D isotopically modulated vertical silicon nanowires in selective areas by nanosphere lithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 179, 5 July 2017, Pages 74-82
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 179, 5 July 2017, Pages 74-82
نویسندگان
Gerry Hamdana, Tobias Südkamp, Marion Descoins, Dominique Mangelinck, Lorenzo Caccamo, Maik Bertke, Hutomo Suryo Wasisto, Hartmut Bracht, Erwin Peiner,