کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970885 | 1450302 | 2017 | 21 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multiple parallel channels for improved resistance to repeated bending and unbending of amorphous indium-gallium-zinc oxide thin film transistors
ترجمه فارسی عنوان
کانال های موازی چندگانه برای مقاومت در برابر خم شدن مکرر و ناپیوسته شدن ترانزیستورهای نازک ایزوله بیسیم گالیم-روی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 179, 5 July 2017, Pages 7-12
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 179, 5 July 2017, Pages 7-12
نویسندگان
Min-Jung Lee, Su Jeong Lee, Woong Lee, Jae-Min Myoung,