کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971074 | 1450312 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Depth profiling investigation by pARXPS and MEIS of advanced transistor technology gate stack
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 169, 5 February 2017, Pages 24-28
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 169, 5 February 2017, Pages 24-28
نویسندگان
L. Fauquier, B. Pelissier, D. Jalabert, F. Pierre, R. Gassilloud, D. Doloy, C. Beitia, T. Baron,