کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971097 | 1450313 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High performance Ge ultra-shallow junctions fabricated by a novel formation technique featuring spin-on dopant and laser annealing for sub-10Â nm technology applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 168, 25 January 2017, Pages 1-4
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 168, 25 January 2017, Pages 1-4
نویسندگان
Junkang Li, Ran Cheng, Chang Liu, Pengzhan Zhang, Jiwu Lu, Kunji Chen, Rui Zhang, Yi Zhao,