کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971108 | 1450313 | 2017 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel self-aligned charge plasma Schottky barrier tunnel FET using work function engineering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A novel self-aligned charge plasma Schottky barrier tunnel FET using work function engineering A novel self-aligned charge plasma Schottky barrier tunnel FET using work function engineering](/preview/png/4971108.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 168, 25 January 2017, Pages 67-75
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 168, 25 January 2017, Pages 67-75
نویسندگان
Sangeeta Singh, Arun Pratap Singh, P.N. Kondekar,