کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971448 | 1450523 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Estimating the Single-Event Upset sensitivity of a memory array using simulation
ترجمه فارسی عنوان
ارزیابی حساسیت نارسایی یک رویداد یک آرایه حافظه با استفاده از شبیه سازی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
This paper proposes a straightforward methodology to estimate by simulation the Single-Event Upset (SEU) sensitivity of a memory array using open source and commercial codes. It is based on a four-step process including the calculation of the deposited energy distribution in sensitive volumes, the determination of a criterion for SEU triggering, the count of SEUs, and finally the SEU cross-section calculation. The approach is validated with neutron irradiation experiments performed on a 65Â nm Static Random Access Memory (SRAM).
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 78, November 2017, Pages 349-354
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 78, November 2017, Pages 349-354
نویسندگان
Mélanie Raine, Marc Gaillardin, Thierry Lagutere, Olivier Duhamel, Philippe Paillet,