کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5005854 | 1461376 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A study of S doped ZnSb
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: A study of S doped ZnSb A study of S doped ZnSb](/preview/png/5005854.png)
چکیده انگلیسی
We report on S-doping of ZnSb for S concentrations ranging from 0.02Â at% to 2.5Â at%. There are no previous reports on S-doping. ZnSb is a thermoelectric material with some advantages for the temperature range 400Â K-600Â K. The solid solubility of S in ZnSb was estimated to be lower than 0.1% from observations of precipitates by scanning microscopy. Hall and Seebeck measurements were performed as a function of temperature from 6Â K to 623Â K. The temperature dependence of the electrical properties suggests that S introduces neutral scattering centers for holes in the p-type material. An increase in hole concentration by S is argued by defect reactions involving Zn vacancies.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 71, 15 November 2017, Pages 421-426
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 71, 15 November 2017, Pages 421-426
نویسندگان
X. Song, T.G. Finstad,