کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5005890 | 1461377 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tensile strain ultra thin body SiGe on insulator through hetero-layer transfer technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Tensile strain ultra thin body SiGe on insulator through hetero-layer transfer technique Tensile strain ultra thin body SiGe on insulator through hetero-layer transfer technique](/preview/png/5005890.png)
چکیده انگلیسی
The ultra thin body (UTB) SiGe on insulator (SGOI) substrate with body thickness of only 5 nm has been fabricated by hetero-layer transfer technique with highly selective wet etching. According to Raman spectroscopy, UTB-SiGe layer with Ge fraction of 67% and +1% partially tensile strain was transferred onto the SiO2/Si host substrate without the strain degradation. To present the feasibility of UTB-SGOI substrate, a well-behaved performance of 2-μm-gate-length normally off UTB-SGOI nMOSFET has also been demonstrated.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 70, 1 November 2017, Pages 123-126
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 70, 1 November 2017, Pages 123-126
نویسندگان
Wen Hsin Chang, Hiroyuki Hattori, Hiroyuki Ishii, Toshifumi Irisawa, Noriyuki Uchida, Tatsuro Maeda,