کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5005915 | 1461377 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of epitaxial Lu- or Y-doped La2O3/La2O3/Ge high-k gate-stacks
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Electrical properties of epitaxial La2O3/germanium (Ge) structures can be significantly improved by using epitaxially grown Lutetium(Lu)- or Yttrium(Y)-doped La2O3 passivation layers. For the metal-insulator-semiconductor (MIS) devices, hysteretic nature of capacitance-voltage (C-V) characteristics becomes negligibly small and the interface trap density (Dit) is estimated to be less than 1012Â cmâ2Â eVâ1 at around the midgap. We discuss a possible mechanism of the improvement of the electrical properties.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 70, 1 November 2017, Pages 260-264
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 70, 1 November 2017, Pages 260-264
نویسندگان
T. Kanashima, R. Yamashiro, M. Zenitaka, K. Yamamoto, D. Wang, J. Tadano, S. Yamada, H. Nohira, H. Nakashima, K. Hamaya,