کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006153 | 1461384 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural, chemical, and electrical properties of Y2O3 thin films grown by atomic layer deposition with an (iPrCp)2Y(iPr-amd) precursor
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural, chemical, and electrical properties of Y2O3 thin films grown by atomic layer deposition with an (iPrCp)2Y(iPr-amd) precursor Structural, chemical, and electrical properties of Y2O3 thin films grown by atomic layer deposition with an (iPrCp)2Y(iPr-amd) precursor](/preview/png/5006153.png)
چکیده انگلیسی
Y2O3 thin films were grown by atomic layer deposition (ALD) through a heteroleptic liquid (iPrCp)2Y(iPr-amd) precursor at 350 °C. The structural and chemical properties of both as-deposited and annealed Y2O3 films at 500 °C and 700 °C are analyzed by atomic force microscopy for variation in surface roughness, X-ray diffraction for crystalline structure, and X-ray photoelectron spectroscopy for chemical states. The as-deposited Y2O3 film shows the same crystalline orientation along the plane (222), a stoichiometric state, and minimal hydroxylate formation up to 700 °C. Being the dielectric layer in the metal-oxide-semiconductor capacitor, the as-deposited ALD-Y2O3 films with liquid (iPrCp)2Y(iPr-amd) precursor without any post-deposition annealing show the much lower leakage density than ALD-Y2O3 with solid Y(MeCp)3.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 63, 1 June 2017, Pages 279-284
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 63, 1 June 2017, Pages 279-284
نویسندگان
J.-H. Kang, Yong Chan Jung, Sejong Seong, Taehoon Lee, Jinho Ahn, Wontae Noh, In-Sung Park,